成都海威华芯科技有限公司成立于2010年，总投资30.8亿元，公司地址位于四川成都。海威华芯是国内首家拥有完整的6吋砷化镓/氮化镓微波集成电路生产线的晶圆代工服务公司，实现至少4种高端专用波段芯片产品的商业化制造能力，使高端化合物芯片自主可控。海威华芯提供各频段的射频、微波、毫米波芯片产品、SiP 产品以及晶圆代工服务，始终秉承用户至上的经营理念，从产品性能指标、可靠性、交货期、价格等多个维度达成用户的全面满意。
砷化镓代工服务
一、HW-PPA15 ：GaAs 0.15 μm Power pHEMT工艺
海威华芯PPA15工艺适用于直至毫米波频段的各种宽带、窄带功率放大器、驱动放大器、低噪声放大器以及各类混频器、开关芯片，可实现多功能片上集成
技术特点：
1. 针对T型栅核心工艺，两套工艺路线以适应不同的市场应用需求
l 电子束光刻-工程研发，小批量
l 光学光刻-大批量生产
2. 特殊双凹槽结构
3. 薄膜电阻和外延电阻
4. MMIC电容
5. 空气桥
6.背面通孔
二、HW-PPA25：GaAs 0.25μm Power pHEMT工艺
海威华芯PPA25工艺适用于20GHz 以下射频微波领域各种宽带、窄带功率放大器、驱动放大器、低噪声放大器、以及各类混频器、开关芯片、可实现T/R组件套片或者多功能片上集成芯片。
技术特点：
1. 0.25μm光学T-gate
2. 特殊凹槽结构
3. 薄膜电阻和外延电阻
4. MIM电容（600pF/mm2）
5. 空气桥
6. 背面通孔
7. 工作电压可达8V
8.E/D逻辑器件集成（可选）
氮化镓代工服务
HW-NPA25:0.25 μm GaN Power pHEMT工艺
海威华芯NPA25工艺适用于20GHz 以下射频微波领域各种宽带、窄带大功率放大器、大功率驱动放大器、大功率开关芯片、以及大功率T/R组件用的大功率SOC芯片等。
1. 0.25μm光学T-gate
2. 平坦化工艺（离子注入隔离）
3. SiN钝化层
4. MIM电容（280 pF/mm2）
5. TaN电阻（50Ω/sq）
6. 源场板工艺，提高击穿电压
7. 空气桥互联
8. 背面通孔工艺